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U W I-Typ Hochtemperatur-SiC-Heizung Siliziumkarbid Heizungselemente für Ofen

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U W I-Typ Hochtemperatur-SiC-Heizung Siliziumkarbid Heizungselemente für Ofen

U W I-Typ Hochtemperatur-SiC-Heizung Siliziumkarbid Heizungselemente für Ofen
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Großes Bild :  U W I-Typ Hochtemperatur-SiC-Heizung Siliziumkarbid Heizungselemente für Ofen

Produktdetails:
Herkunftsort: China
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1/PCS
Preis: 5/usd/pcs
Verpackung Informationen: Starke Holzkisten für den weltweiten Versand
Lieferzeit: 3 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000/pcs/Month
Kontakt

U W I-Typ Hochtemperatur-SiC-Heizung Siliziumkarbid Heizungselemente für Ofen

Beschreibung
Hervorheben:

Heizungsanlage

,

Hochtemperatur-SIC-Heizung

,

Silikonkarbid-Sic-Heizgerät

Beschreibung des Produkts
U W I-Typ Hochtemperatur-SiC-Heizung Siliziumkarbid Heizungselemente für Ofen 0
SiC-Heizelemente aus Siliziumkarbid (Heizgerät)
1) Material: Grüne SiC-Puder von guter Qualität.
2) Erzeugnis: Eine Art nichtmetallisches hochtemperatures elektrisches Heizelement.
3) Herstellungsprozess: Blank gemacht, bei hoher Temperatur silikidiert und erneut kristallisiert.
4) Verwendung: Es wird weit verbreitet in verschiedenen Hochtemperatur-Laboröfen und anderen elektrischen Heizungen verwendet
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, im Hinblick auf die Einführung der neuen Technologien in den Bereich der elektronischen Kommunikationstechniken und -technologien eine Reihe von Maßnahmen zu ergreifen.
5) Charakter: Höhere Temperatur, Antioxidation, Antikorrosion, schnelle Temperaturerhöhung, niedrige
Koeffizient der thermischen Ausdehnung und so weiter.
6) Spezifikationen der Heizung und Widerstandsbereich
Physikalische Eigenschaften von Elementen: 
Spezifisches Gewicht
Biegefestigkeit
Härte
Zugfestigkeit
Porosität
Strahlkraft
20,6 bis 28 g/cm3
> 300 kg
>9MH's
> 150 kg/cm3
< 30%
0.85
Der lineare Expansionskoeffizient, die Wärmeleitfähigkeit und die spezifische Wärme eines Elements werden sich mit der Temperaturänderung verändern.
Temperatur (c)
Lineare Ausdehnungskoeffizient (10m/c)
Wärmeleitfähigkeit (kcal/M hrc)
Spezifische Wärme (cal/g'c)
o
/
/
0.148
300
3.8
/
/
400
/
/
0.255
600
4.3
14 bis 18
/
800
/
/
0.294
900
4.5
/
/
1100
/
12 bis 16
/
1200
4.8
/
0.325
1300
/
10 bis 14
/
1500
5.2
/
/

Silikonkarbid Heizelement.

Verwendung von Siliziumkarbid in der Bauindustrie, Keramikbrennen, Produktion von Floatglas, Schmelzen von Nichteisenmetallen, Sintern, Brazen,mit einer Breite von mehr als 20 mm,Heizelemente aus Siliziumkarbid sind typischerweise in Form von Stangen, Rohren oder Stangen mit einem oder mehreren Beinen und metallisierten Aluminium-Enden geformt.andere Formen sind Hanteln und Doppel- oder EinzelspiraleUnsere Standard-Heizungselemente haben einen Durchmesser von 0,5 bis 3 Zoll und eine Länge von 1 bis 10 Fuß.Silikonkarbidheizelemente sind in der Regel in den meisten Volumina sofort erhältlichAmerican Elements bietet auch andere Formen von Siliziumkarbid an, wie z. B. Ziegel, Schaum, Bienenhalm, Pulver (einschließlich Mikron- und Submikronpulver), Mikronwisker, Nanopartikel, Schwämme,SputterzieleZusätzliche technische, Forschungs- und Sicherheitsinformationen (MSDS) sind verfügbar.
U W I-Typ Hochtemperatur-SiC-Heizung Siliziumkarbid Heizungselemente für Ofen 1
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U W I-Typ Hochtemperatur-SiC-Heizung Siliziumkarbid Heizungselemente für Ofen 3
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Spezifikation
Atmosphäre
Herdtemperatur ((°C)
Oberflächenbelastung ((W/cm)
Wirkung auf das Element
So ist es gut.
Ammoniak
1290
3.8
Auf SiC wirkend, um so einen SiO2-Schutzfilm zu bilden
Aktiv am Taupunkt
COr
1450
3.1
Angriff auf SiC
Schutzgehalt durch Quarzrohr
18% CO
1500
4
Keine Aktion
/
20% CO
1370
3.8
Adsorbierende C-Körner, die auf SiO2 wirken Schutzfolie
/
Halogen
704
3.8
Angriff auf SiC und Abnahme von SiOProtektiven Filmen
Schutzgehalt durch Quarzrohr
Kohlenwasserstoff
1310
3.1
Adsorbierende C-Kerne verursachen heiße Verschmutzung
Füllen Sie mit genug Luft
Wasserstoff
1290
3.1
Wirkung auf SiC, um so SiO2 zu verringern
Aktiv am Taupunkt
Methan
1370
3.1
Adsorbierende C-Kerne verursachen heiße Verschmutzung
/
N
1370
3.1
Wirkung mit SiC bildet SiN-Isolierungsschicht
/
Nein.
1310
3.8
Angriff auf SiC
Schutzgehalt durch Quarzrohr
So2
1310
3.8
Angriff auf SiC
Schutzgehalt durch Quarzrohr
Vakuum
1204
3.8
/
/
Sauerstoff
1310
3.8
SiC ist oxidiert
/
Wasserdifferent Inhalt
1090 bis 1370
31-3!6
Wirkung auf SiC bildet Siliziumhydtat
/
Verpackung und Lieferung
U W I-Typ Hochtemperatur-SiC-Heizung Siliziumkarbid Heizungselemente für Ofen 5
U W I-Typ Hochtemperatur-SiC-Heizung Siliziumkarbid Heizungselemente für Ofen 6
Um die Sicherheit Ihrer Waren besser zu gewährleisten, werden professionelle, umweltfreundliche, bequeme und effiziente Verpackungsdienste bereitgestellt.

Größe und Tag:

C-Service-Temperatur-Korund-Ziegelsteine 1800,

99,

51% hohe Ziegelsteine der Tonerde-Al2O3

Kontaktdaten
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Ansprechpartner: Daniel

Telefon: 18003718225

Faxen: 86-0371-6572-0196

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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