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Raman-Kristalle: Hohe Resistenz gegen Strahlungsschäden, hohe Ladungsträgermobilität

Name: Raman-Kristalle: Hohe Resistenz gegen Strahlungsschäden, hohe Ladungsträgermobilität
Brand: HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD
SKU: Mitgliedstaat
Price: 10 USD
Availability: InStock

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Raman-Kristalle: Hohe Resistenz gegen Strahlungsschäden, hohe Ladungsträgermobilität

Großes Bild : Raman-Kristalle: Hohe Resistenz gegen Strahlungsschäden, hohe Ladungsträgermobilität

Produktdetails:

Herkunftsort:	China
Markenname:	ZG
Zertifizierung:	CE
Modellnummer:	Mitgliedstaat

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	1 Stück
Preis:	10USD/PC
Verpackung Informationen:	Starke Holzkisten für den weltweiten Versand
Lieferzeit:	7 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen:	Akkreditiv, Dokumenteninkasso, Dokument gegen Zahlung, Überweisung, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:	1000 Stück

Kontakt

Raman-Kristalle: Hohe Resistenz gegen Strahlungsschäden, hohe Ladungsträgermobilität

Beschreibung

Hervorheben:

Hohe Ladungsträgermobilität in Raman-Kristallen

Strahlungsschäden in Raman-Kristallen

Ramankristalle

Halbleitergruppe Diamant Einzelkristallprodukte haben die Vorteile von großer Bandlücke, geringer Elektronsättigungsgeschwindigkeit, großer Trägermobilität, geringer relativer Dielektrikkonstante,starke Beständigkeit gegen Strahlenschäden, etc. und kann in Spitzentechnologiefeldern wie Halbleitern, Detektoren und Quantensensoren eingesetzt werden.Die einzigartige Hochtemperatur- und Hochdruck (111) -Kristallorientierung des Unternehmens kann zum Anbau von Tantalchloridkristallen mit einer Größe von bis zu 15 × 15 mm verwendet werden.

Raman-Kristalle: Hohe Resistenz gegen Strahlungsschäden, hohe Ladungsträgermobilität 0

Qualitätskontrolle:

Raman-Kristalle: Hohe Resistenz gegen Strahlungsschäden, hohe Ladungsträgermobilität 1

Größe und Tag:

Ansprechpartner: Daniel

Telefon: 18003718225

Faxen: 86-0371-6572-0196

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