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Siliziumkarbid-Sic-Trays als Waferhalter für den Icp-Etschprozess in der Led-Industrie

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Siliziumkarbid-Sic-Trays als Waferhalter für den Icp-Etschprozess in der Led-Industrie

Siliziumkarbid-Sic-Trays als Waferhalter für den Icp-Etschprozess in der Led-Industrie
Siliziumkarbid-Sic-Trays als Waferhalter für den Icp-Etschprozess in der Led-Industrie Siliziumkarbid-Sic-Trays als Waferhalter für den Icp-Etschprozess in der Led-Industrie Siliziumkarbid-Sic-Trays als Waferhalter für den Icp-Etschprozess in der Led-Industrie Siliziumkarbid-Sic-Trays als Waferhalter für den Icp-Etschprozess in der Led-Industrie

Großes Bild :  Siliziumkarbid-Sic-Trays als Waferhalter für den Icp-Etschprozess in der Led-Industrie

Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: ZG
Zertifizierung: CE
Modellnummer: Mitgliedstaat
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1 Stück
Preis: 10USD/PC
Verpackung Informationen: Starke Holzkisten für den weltweiten Versand
Lieferzeit: 7 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000 Stück
Kontakt

Siliziumkarbid-Sic-Trays als Waferhalter für den Icp-Etschprozess in der Led-Industrie

Beschreibung
Hervorheben:

Waferhalter-Siliziumkarbid-Träger

,

Led-Industrie-Siliziumkarbid-Träger

,

ICP-Ätzer-Siliziumkarbid-Träger

Silikonkarbid- (sic) -Träger als Waferhalter für den Icp-Etsch-Prozess in der Led-Industrie

Siliziumcarbid (SiC) ist ein exzellentes Material für Versiegelungsringe und Lager.Silikonkarbid-Träger haben eine hervorragende KorrosionsbeständigkeitWir liefern viele Größen von Siliziumkarbid-Trägern sowie andere SiC-Produkte.

Eigenschaften der Materialien:

Siliziumkarbid-Sic-Trays als Waferhalter für den Icp-Etschprozess in der Led-Industrie 0

Herstellungsprozesse:

Siliziumkarbid-Sic-Trays als Waferhalter für den Icp-Etschprozess in der Led-Industrie 1

Eigenschaften von Siliziumkarbid-Trägern

Zusammengesetzte Formel SiC
Molekülgewicht 40.1
Aussehen Schwarz
Schmelzpunkt 2,730° C (4,946° F) (zerfällt)
Dichte 30,0 bis 3,2 g/cm3
Elektrische Widerstandsfähigkeit 1 bis 4 10x Ω-m
Poisson's Verhältnis 0.15 gegen 0.21
Spezifische Wärme 670 bis 1180 J/kg-K


Spezifikationen für Silikonkarbid-Träger

Typ SiC wieder kristallisiert Sintertes SiC Reaktionsgebundenes SiC
Reinheit von Siliziumkarbid 990,5% 98 Prozent > 88%
Max. Arbeitszeit (`C) 1650 1550 1300
Massendichte (g/cm3) 2.7 3.1 >3
Aussehen Porosität < 15% 2.5 0.1
Beugfestigkeit (MPa) 110 400 380
Druckfestigkeit (MPa) > 300 2200 2100
Wärmeausdehnung (10^-6/`C) 4.6 (1200 ̊C) 4.0 (< 500 ̊C) 4.4 (< 500 ̊C)
Wärmeleitfähigkeit (W/m.K) 35 bis 36 110 65
Hauptmerkmale Hohe Temperatur, hoher Widerstand.
Hohe Reinheit		 Bruchfestigkeit Chemische Resistenz


Eigenschaftsanforderung:

  1. Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit
  2. Plasmaschockbeständig
  3. Gute Temperaturgleichheit


Anwendungen von Siliziumkarbid-Trägern

-Siliziumkarbid kann in Bereichen wie Halbleiter und Beschichtung eingesetzt werden.
- Unsere Siliziumkarbid-Trej's werden in der LED-Industrie weit verbreitet.

Verpackung von Siliziumkarbid

Unsere Siliziumkarbid-Träger werden sorgfältig gehandhabt, um Schäden bei Lagerung und Transport zu minimieren und die Qualität unserer Produkte in ihrem ursprünglichen Zustand zu erhalten.

Qualitätskontrolle:

Siliziumkarbid-Sic-Trays als Waferhalter für den Icp-Etschprozess in der Led-Industrie 2

Größe und Tag:

99% SIC keramischer Zylinder,

Halbleiter-Industrie-Silikonkarbidzylinder,

Sic Schwefelsäure-Zerstäuber-Düsen

Kontaktdaten
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Ansprechpartner: Daniel

Telefon: 18003718225

Faxen: 86-0371-6572-0196

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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