Keramische elektrostatische Spannplatte (ESC) – Präzise Substrathalterung für Hochvakuum- und Plasmaumgebungen

Keramische elektrostatische Schläuche (ESC) für die Präzisionsspannung von Substraten in Vakuum- und Plasmaumgebungen

Bei der fortgeschrittenen Halbleiterfertigung und bei der Dünnschichtdeposition sind die herkömmlichen mechanischen oder Vakuumspannverfahren nicht in der Lage, die ultra-sauberen, hochauflösendenund temperaturgesteuerte Anforderungen an die SubnanometerverarbeitungUnsere.Keramische elektrostatische Spindeln (ESC)Verwendung von Coulombic- oder Johnsen-Rahbek-elektrostatischen Kräften (J-R) zur sicheren Klemmung von Wafern und Substraten ohne mechanischen Randkontakt, was eine außergewöhnliche Temperaturgleichheit und Plattheit der Wafer bietet,und Partikelreduktion.

Technische Mechanismen und Typen

Wir entwickeln beide primären elektrostatischen Schlagvorrichtungen, die auf spezifische Verarbeitungsumgebungen zugeschnitten sind:

• Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen, sofern die Verbrennungsmenge nicht überschritten ist.: Hergestellt mit halbleitenden keramischen Formulierungen (z. B. doppiertes Aluminiumoxid oder Siliziumkarbid).J-R-Schläger erzeugen immense elektrostatische Spannkräfte bei niedrigeren Betriebsspannungen, so dass sie ideal für Hochdichte-Plasma-Etschen und PVD/CVD-Prozesse geeignet sind.

• Keramische ESC des Typs Coulombic: aus hochreiner Isolierkeramik gefertigt, die ausschließlich auf elektrostatische Ladung beruht,eine stabile Klemmung in breiten Temperaturbereichen und eine ultraschnelle Abschlagfähigkeit für empfindliche dielektrische Materialien.

Wichtige Vorteile

1. Aussergewöhnliche thermische Steuerung und Einheitlichkeit

Integriert mit mehrzonenresistiven Heizelementen und eingebetteten Heliumkühlkanälen sorgen unsere keramischen ESCs für eine präzise Wafertemperaturverteilung ($le pm 1^circtext{C}$über$300 SMSWafer), die für die Kontrolle der kritischen Dimension (CD) bei Ätzen und Ablagerungen von entscheidender Bedeutung sind.

2. Hohe Korrosions- und Plasmabeständigkeit

aus fortgeschrittener technischer Keramik wieHochreines Aluminiumoxid (- Ich bin nicht hier.)undAluminiumnitrid ($AlN$), ist die Schlagfläche aggressivem Halogenplasma (- Ich weiß nicht.,$Cl_2$) und Reaktionsgase, wodurch die Erzeugung von Kammerpartikeln minimiert und die Betriebsdauer verlängert wird.

3. Ultraflache Oberfläche und Partikelunterdrückung

Mikrobearbeitete Pinnmuster auf der keramischen Oberfläche verringern drastisch den Berührungsbereich zwischen der Waferrückseite und dem Schlag,Verhinderung der Kontamination durch Rückseite Partikel und Aufrechterhaltung einer überlegenen Plattheit der Wafer ($le 1 mutext{m}$)

4. Schnelle Reaktion und zuverlässiges De-Chucking

Optimierte dielektrische Schichten und eine fortschrittliche Leistungssteuerung ermöglichen schnelle Schleudern- und Abschleudernzyklen, die die restliche elektrostatische Ladung eliminieren und den Durchsatz der Wafer maximieren.

Typische Anwendungen