Aluminiumnitrid-Keramikteile

Teile aus Keramik aus Aluminiumnitrid

Dank ihrer elektrischen Isolierfähigkeit und ihrer hervorragenden Wärmeleitfähigkeit eignen sich Aluminiumnitridkeramik (AIN) ideal für Anwendungen, die eine Wärmeablösung erfordern.weil es einen thermischen Expansionskoeffizienten hat, der dem des Siliziums nahe kommt, und eine ausgezeichnete Plasmabeständigkeit aufweist, wird für Bauteile von Halbleiterverarbeitungsgeräten verwendet.

Aluminiumnitridkeramik (AIN) weist folgende außergewöhnliche Eigenschaften auf:

• gute mechanische Eigenschaften,
• Höhere Biegefestigkeit als Al2O3 und BeO-Keramik,
• Hohe Temperatur und Korrosionsbeständigkeit.
• Hohe Wärmeleitfähigkeit in Kombination mit guten elektrischen Dämmungseigenschaften.
• Außergewöhnliche Stabilität bei Exposition gegenüber großen Mengen geschmolzener Salze.
• thermische Stabilität von mindestens 1500 °C.
• Vorteilhafte mechanische Eigenschaften im hohen Temperaturbereich.
• Niedrige thermische Ausdehnung und Widerstandsfähigkeit gegen thermische Stoßbelastungen.
• Besondere optische und akustische Eigenschaften.

Form der Verarbeitung:

• Keramische Spritzgießerei
• Druckguss
• Kalt isostatische Presse
• Trockenpresse
• Gießerei
• Präzisionsbearbeitung

Aluminiumnitridkeramische Erzeugnisse:

• AlN-Keramik-Heizkörper für Hochleistungssysteme
• AlN-Tugel, Al-Dampfbecher und andere Teile, die hochtemperaturbeständig sind.
• Substrate aus Kupfer (DBC) mit direkter Verbindung
• AlN Keramikstäbe
• ALN Keramikwaffel
• ALN-Keramiksubstrat
• Keramikheizgerät AlN
• Anpassungsformular

Anwendungen von keramischen Bauteilen aus Aluminiumnitrid:

• Bauteile für Halbleitertechnik
• IC-Gehäuse
• Substrat für Wärmemodule
• Substrat für Hochleistungs-Transistormodule
• Substrat für Hochfrequenzgeräte
• Exotherme Isolationsplatte für Thyristormodule
• Halbleiterlaser, festes Substrat für Leuchtdioden (LED)
• Hybrid-Integriertes Modul, Modul der Zündvorrichtung
• Verwendet beim Sintern von Strukturkeramik.
• AlN Schmelztiegel für Metalle und elektronische Zigaretten
• Gilt für leuchtende Materialien.
• Auf das Substratmaterial aufgetragen

Aluminiumnitrid (AlN) hat eine maximale Bandlücke von 6,2 eV und bietet eine höhere photoelektrische Umwandlungseffizienz als indirekte Bandlücke Halbleiter.Als wichtiges blaues und ultraviolettes Leuchtstoffmaterial, AlN wird in UV/Deep UV-LEDs, ultravioletten Laserdioden und ultravioletten Detektoren verwendet.und seine tri- oder quadratischen Legierungen können eine kontinuierlich einstellbare Bandlücke vom sichtbaren bis zum tiefen UV-Bereich bieten, was es zu einem wichtigen leuchtende Material mit hohem Wirkungsgrad macht.

AlN-Kristalle sind ideale Substrate für GaN, AlGaN und AlN-Epitaxialmaterialien.sowie eine geringere Spannung zwischen Substrat und EpitaxialschichtDaher kann ein AlN-Kristall als GaN-Epitaxialsubstrat die Gerätedefektdichte signifikant reduzieren, die Leistung des Geräts verbessern und vielversprechende Anwendungen bei hohen Temperaturen, hohen Frequenzen haben.,und Hochleistungsgeräte.

Außerdem the AlGaN epitaxial material substrate with AlN crystal as the high-Al component can effectively reduce the defect density of the nitride epitaxial layer and significantly improve the performance and lifespan of nitride semiconductor devices.

Gemeinsame Spezifikation für ALN-Keramiksubstrat:

Längen und Breiten: 25,4 mm; 50,8 mm; 63,5 mm; 76,2 mm; 101,6 mm; 114,3 mm; 127 mm; 152,4 mm.

Stärke: 0,25 mm; 0,5 mm; 0,63 mm; 1 mm; 1,5 mm; 2 mm.