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Aluminiumnitridpulver mit hoher Reinheit mit enger Partikelgrößenverteilung und anpassbarer Partikelgröße für elektronische Materialien

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Microfinishing-Filmstreifen, schnell Schnitte, Formen und Polituren, Abschlusstoleranzende für Präzisionswerkzeug liefernd

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99,8 % hochreines Aluminiumoxid, hohe elektrische Isolierung, geringer dielektrischer Verlust, Filamentisolator PFG, Dual MNT

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Kuppeln aus 99,8 % hochreinem Aluminiumoxid, Fokusringe in einer DPS-Metallkammer

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Aluminiumnitridpulver mit hoher Reinheit mit enger Partikelgrößenverteilung und anpassbarer Partikelgröße für elektronische Materialien

Aluminiumnitridpulver mit hoher Reinheit mit enger Partikelgrößenverteilung und anpassbarer Partikelgröße für elektronische Materialien
Aluminiumnitridpulver mit hoher Reinheit mit enger Partikelgrößenverteilung und anpassbarer Partikelgröße für elektronische Materialien Aluminiumnitridpulver mit hoher Reinheit mit enger Partikelgrößenverteilung und anpassbarer Partikelgröße für elektronische Materialien Aluminiumnitridpulver mit hoher Reinheit mit enger Partikelgrößenverteilung und anpassbarer Partikelgröße für elektronische Materialien

Großes Bild :  Aluminiumnitridpulver mit hoher Reinheit mit enger Partikelgrößenverteilung und anpassbarer Partikelgröße für elektronische Materialien

Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: ZG
Zertifizierung: CE
Modellnummer: MS
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1 Stk
Preis: 10USD/PC
Verpackung Informationen: Starke Holzkiste für den globalen Versand
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, T/T, D/P, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000 Stück
Kontakt

Aluminiumnitridpulver mit hoher Reinheit mit enger Partikelgrößenverteilung und anpassbarer Partikelgröße für elektronische Materialien

Beschreibung
Hervorheben:

Hochreines Aluminiumnitrid-Pulver

,

Verteilung der Schmalpartikelgröße AlN-Pulver

,

Anpassbare Partikelgröße AIN Pulver

Aluminiumnitridpulver
Das hochreine AlN-Pulver für elektronische Materialien ist die optimale Materialauswahl für das Sintern von AIN-Substraten.ausgezeichnete elektrische Isolierung, und thermische Ausdehnungseigenschaften, die sich sehr gut mit Halbleitermaterialien wie Siliziumwafern decken.Unser Aluminiumnitridpulver wird mit der Kohlenstoffthermischen Reduktionsmethode hergestellt, die eine stabile Prozesskontrolle und den Zugang zu verschiedenen Rohstoffquellen gewährleistet.
Wichtige Vorteile
  • Außergewöhnlich hohe Reinheitswerte
  • Enge Partikelgrößenverteilung
  • Vielseitige Anwendungen einschließlich Substratguss, Granulationspulver und Füllpulver
  • Anpassbare Partikelgrößen, um spezifische Szenarioanforderungen zu erfüllen
Technische Spezifikation
Parameter H-2 M-3
Spezifische Fläche ≥ 20 ≥ 20
Durchschnittliche Partikelgröße ≤ 2.0 ≤ 2.0
O (wt%) ≤ 095 ≤ 095
C (ppm) ≤ 0045 ≤ 0050
Ca (ppm) ≤ 200 ≤ 200
Si (ppm) ≤ 50 ≤ 70
Fe (ppm) ≤ 30 ≤ 50
H-2-Klasse
Aluminiumnitridpulver mit hoher Reinheit mit enger Partikelgrößenverteilung und anpassbarer Partikelgröße für elektronische Materialien 0
H-3-Klasse
Aluminiumnitridpulver mit hoher Reinheit mit enger Partikelgrößenverteilung und anpassbarer Partikelgröße für elektronische Materialien 1

Größe und Tag:

Tonerde ZA25 des Zirkonium-F4,

Tonerde-keramische Teile der Dichte-7.6g/cm3,

Stahlschüsse und Körner der Dichte-7.6g/Cm3

Kontaktdaten
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Ansprechpartner: Daniel

Telefon: 18003718225

Faxen: 86-0371-6572-0196

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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