500Um zu 625Um GaAs basierte mechanischen Grad des Epi-Oblaten-Poliergrades

GaAs basierte Epi-Oblate

Wir stellen MBE-/MOCVD-Epitaxie der kundenspezifischen Struktur auf GaAs-Substrat für Mikroelektronik, Optoelektronik und Rf-Mikrowellenanwendungen, im Durchmesser Ø 3" zu Ø 4" zur Verfügung. Mit unserer umfangreichen MOCVD-Erfahrung können wir Zweistofflegierung (Lt-GaAs, leider) oder dreifache Legierung (AlGaAs, InGaAs, GaAsP, InGaP) auf GaAs-Substrat wachsen, singel Schicht oder Mehrfachschicht Superlatticestrukturen mit überlegener kristallener Qualität, um eine Vielzahl des Gerätbedarfs zu treffen. Unsere in hohem Grade erfahrenen Experten können mit Ihnen arbeiten, um Ihre GaAs-epi Schichtstruktur zu entwerfen und zu optimieren. Treten Sie mit uns bitte für mehr Produktinformation in Verbindung oder besprechen Sie Ihre epi Schichtstruktur.

GaAs basierte Epi-Oblaten-Fähigkeit

Unsere Reaktoren sind für eine Vielzahl von materiellen Systemen und von Prozessbedingungen konfiguriert. Wir können kundenspezifische Epitaxie für eine Vielzahl von den Gerätanwendungen zur Verfügung stellen, die von LED zu HEMTs reichen.