Mechanischer Grad-technisches keramisches Teile InP-Oblaten-Indium-Phosphid

InP-Oblate (Indiumphosphid)

Wir stellen einzelnen Kristallinp-Wafer der hohen Qualität (Indiumphosphid) zur Mikroelektronischen (HBT/HEMT) und optoelektronischen Industrie (LED/DWDM/PIN/VCSELs) im Durchmesser bis 3 Zoll zur Verfügung. Kristall des Indiumphosphids (InP) wird durch zwei Elemente, Indium und Phosphid, Wachstum durch flüssige eingekapselte Methode Czochralski (LEC) oder VGF-Methode gebildet. InP-Wafer ist ein wichtiges Halbleitermaterial, die überlegene elektrische und thermische Eigenschaften haben, verglichen mit Siliziumscheibe und GaAs-Wafer, InP-Wafer hat höhere Elektronenbeweglichkeit, höhere Frequenz, Leistungsaufnahme der geringen Energie, höhere Wärmeleitfähigkeit und lärmarme Leistung. Wir können epi bereiten Grad InP-Wafer für Ihre Epitaxial- Anwendung MOCVD u. MBE zur Verfügung stellen. Treten Sie mit uns bitte für mehr Produktinformation in Verbindung.

III-V Verbundoblate

Wir stellen eine breite Palette der Verbundoblate einschließlich GaAs-Oblate, Gap-Oblate, GaSb-Oblate, InAs-Oblate und InP-Oblate zur Verfügung.

Elektrisch und Spezifikation lackierend

Produktbeschreibung