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2 Zoll InAs Wafer Indium Arsenide eine/zwei Seiten Polier

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2 Zoll InAs Wafer Indium Arsenide eine/zwei Seiten Polier

2 Zoll InAs Wafer Indium Arsenide eine/zwei Seiten Polier
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Großes Bild :  2 Zoll InAs Wafer Indium Arsenide eine/zwei Seiten Polier

Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: ZG
Zertifizierung: CE
Modellnummer: Mitgliedstaat
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1-teilig
Preis: USD10/piece
Verpackung Informationen: Starke Holzkiste für globales Verschiffen
Lieferzeit: 3 Werktage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 Stücke pro Monat

2 Zoll InAs Wafer Indium Arsenide eine/zwei Seiten Polier

Beschreibung
Anwendung: rote, gelbe und grüne LED (Leuchtdioden) Durchmesser: Ø 2"/Ø 3"
Stärke: 500 um | 625 um Grad: Epi polierte Grad/mechanischen Grad
Hervorheben:

InAs Wafer Indium Arsenide

,

2 Zoll InAs Wafer

,

2 Zoll-Indium-Arsenmetall

 

InAs-Oblate (Indium-Arsenmetall)

 

Wir stellen InAs-Wafer (Indium-Arsenmetall) zur Optoelektronikindustrie im Durchmesser bis 2 Zoll zur Verfügung. InAs-Kristall ist ein Mittel, das durch 6N gebildet wird, das in und als Element rein ist und wird durch flüssige eingekapselte Methode Czochralski (LEC gewachsen) mit EPD < 15000="" cm="" -3="">

 

III-V Verbundoblate

Wir stellen eine breite Palette der Verbundoblate einschließlich GaAs-Oblate, Gap-Oblate, GaSb-Oblate, InAs-Oblate und InP-Oblate zur Verfügung.

 

Elektrisch und Spezifikation lackierend

Produktbeschreibung

 

Wachstum LEC
Durchmesser Ø 2"/Ø 3"
Stärke 500 um | 625 um
Orientierung <100> / <111> / <110> oder andere
Weg von der Orientierung Weg von 2° zu 10°
Oberfläche Eine Seite polierte oder zwei polierte Seiten
Flache Wahlen EJ oder HALB. Std.
TTV <>
EPD <>
Grad Epi polierte Grad/mechanischen Grad
Paket Einzelner Oblatenbehälter
 

2 Zoll InAs Wafer Indium Arsenide eine/zwei Seiten Polier 0

Kontaktdaten
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Ansprechpartner: Daniel

Telefon: 18003718225

Faxen: 86-0371-6572-0196

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