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Einzelner Kristall-Gap-Oblaten-Gallium-Phosphid als rote gelbe und grüne LED

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Einzelner Kristall-Gap-Oblaten-Gallium-Phosphid als rote gelbe und grüne LED

Einzelner Kristall-Gap-Oblaten-Gallium-Phosphid als rote gelbe und grüne LED
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Großes Bild :  Einzelner Kristall-Gap-Oblaten-Gallium-Phosphid als rote gelbe und grüne LED

Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: ZG
Zertifizierung: CE
Modellnummer: Mitgliedstaat
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1-teilig
Preis: USD10/piece
Verpackung Informationen: Starke Holzkiste für globales Verschiffen
Lieferzeit: 3 Werktage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 Stücke pro Monat

Einzelner Kristall-Gap-Oblaten-Gallium-Phosphid als rote gelbe und grüne LED

Beschreibung
Anwendung: rote, gelbe und grüne LED (Leuchtdioden) Durchmesser: Ø 2"
Stärke: 400 um Grad: Epi polierte Grad/mechanischen Grad
Hervorheben:

Einzelner Kristall-Gap-Oblate

,

einzelner Crystal Gallium Phosphide

,

grüne Oblate LED Gap

Einzelner Kristall-Gap-Oblate (Gallium-Phosphid), weitverbreitet als rote, gelbe und grüne LED (Leuchtdioden)

 

Wir stellen einzelnen Kristall-Gap-Wafer der hohen Qualität (Galliumphosphid) zur elektronischen und optoelektronischen Industrie im Durchmesser bis 2 Zoll zur Verfügung. Kristall des Galliumphosphids (Gap) ist ein orangegelbes halbdurchscheinendes Material, das durch zwei Elemente, Gallium und Phosphid, Wachstum durch flüssige eingekapselte gebildet wird Methode Czochralski (LEC). Gap-Wafer ist ein wichtiges Halbleitermaterial, die einzigartige elektrische Eigenschaften als andere III-V Verbundmaterialien haben und ist als rote, gelbe und grüne LED (Leuchtdioden) weitverbreitet. Wir haben wie-geschnittenen einzelnen Kristall-Gap-Wafer für Ihre LPE-Anwendung und stellen auch epi bereiten Grad Gap-Wafer für Ihre Epitaxial- Anwendung MOCVD u. MBE zur Verfügung. Treten Sie mit uns bitte für mehr Produktinformation in Verbindung.

 

III-V Verbundoblate

Wir stellen eine breite Palette der Verbundoblate einschließlich GaAs-Oblate, Gap-Oblate, GaSb-Oblate, InAs-Oblate und InP-Oblate zur Verfügung.

 

Elektrisch und Spezifikation lackierend

 

Dopant verfügbar S / Zn/Cr/Undoped
Art der Leitfähigkeit N / P, Halbleiter-/Halb-isolierend
Konzentration 1E17 - 2E18 cm-3
Mobilität > 100 cm2/v.s.

Produktbeschreibung

 
Wachstum LEC
Durchmesser Ø 2"
Stärke 400 um
Orientierung <100> / <111> / <110> oder andere
Weg von der Orientierung Weg von 2° zu 10°
Oberfläche Eine Seite polierte oder zwei polierte Seiten
Flache Wahlen EJ oder HALB. Std.
TTV <>
EPD <>
Grad Epi polierte Grad/mechanischen Grad
Paket Einzelner Oblatenbehälter

Einzelner Kristall-Gap-Oblaten-Gallium-Phosphid als rote gelbe und grüne LED 0

Kontaktdaten
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Ansprechpartner: Daniel

Telefon: 18003718225

Faxen: 86-0371-6572-0196

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