Produktdetails:
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Anwendung: | rote, gelbe und grüne LED (Leuchtdioden) | Durchmesser: | Ø 2" |
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Stärke: | 400 um | Grad: | Epi polierte Grad/mechanischen Grad |
Hervorheben: | Einzelner Kristall-Gap-Oblate,einzelner Crystal Gallium Phosphide,grüne Oblate LED Gap |
Einzelner Kristall-Gap-Oblate (Gallium-Phosphid), weitverbreitet als rote, gelbe und grüne LED (Leuchtdioden)
Wir stellen einzelnen Kristall-Gap-Wafer der hohen Qualität (Galliumphosphid) zur elektronischen und optoelektronischen Industrie im Durchmesser bis 2 Zoll zur Verfügung. Kristall des Galliumphosphids (Gap) ist ein orangegelbes halbdurchscheinendes Material, das durch zwei Elemente, Gallium und Phosphid, Wachstum durch flüssige eingekapselte gebildet wird Methode Czochralski (LEC). Gap-Wafer ist ein wichtiges Halbleitermaterial, die einzigartige elektrische Eigenschaften als andere III-V Verbundmaterialien haben und ist als rote, gelbe und grüne LED (Leuchtdioden) weitverbreitet. Wir haben wie-geschnittenen einzelnen Kristall-Gap-Wafer für Ihre LPE-Anwendung und stellen auch epi bereiten Grad Gap-Wafer für Ihre Epitaxial- Anwendung MOCVD u. MBE zur Verfügung. Treten Sie mit uns bitte für mehr Produktinformation in Verbindung.
III-V Verbundoblate
Wir stellen eine breite Palette der Verbundoblate einschließlich GaAs-Oblate, Gap-Oblate, GaSb-Oblate, InAs-Oblate und InP-Oblate zur Verfügung.
Elektrisch und Spezifikation lackierend
Dopant verfügbar | S / Zn/Cr/Undoped |
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Art der Leitfähigkeit | N / P, Halbleiter-/Halb-isolierend |
Konzentration | 1E17 - 2E18 cm-3 |
Mobilität | > 100 cm2/v.s. |
Produktbeschreibung
Wachstum | LEC |
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Durchmesser | Ø 2" |
Stärke | 400 um |
Orientierung | <100> / <111> / <110> oder andere |
Weg von der Orientierung | Weg von 2° zu 10° |
Oberfläche | Eine Seite polierte oder zwei polierte Seiten |
Flache Wahlen | EJ oder HALB. Std. |
TTV | <> |
EPD | <> |
Grad | Epi polierte Grad/mechanischen Grad |
Paket | Einzelner Oblatenbehälter |
Ansprechpartner: Daniel
Telefon: 18003718225
Faxen: 86-0371-6572-0196