Einzelnes Oblaten-Galliumarsenid Crystal Polycrystallines GaAs für Mikrowellen-Stromkreis LD LED

Einzelne Kristall- und polykristalline GaAs-Oblate (Galliumarsenid) für die Herstellung von LD, LED, Mikrowellenstromkreis, Solarzelle

Wir stellen einzelne Kristall- und polykristalline GaAs-Oblate (Galliumarsenid) zur Optoelektronik- und Mikroelektronikindustrie für das Stellen von LD, von LED, von Mikrowellenstromkreis und von Solarzellenanträgen, in der Durchmesserstrecke von 2" bis 4" zur Verfügung. Wir bieten einzelne Kristallgaas-Oblate an, die durch zwei Hauptwachstumstechniken LEC und VGF-Methode produziert wird und erlauben uns, Kunden die breiteste Wahl von GaAs-Material mit hoher Einheitlichkeit von elektrischen propertirs und von ausgezeichneter Oberflächenbeschaffenheit zu versehen. Galliumarsenid kann als Barren und Polieroblaten geliefert werden, leitend und halb-isolierende GaAs-Oblate, mechanischer Grad und epi bereiter Grad sind alle verfügbar. Wir können GaAs-Oblate mit niedrigem EPD-Wert anbieten und die hohe Oberflächenbeschaffenheit, die für Ihre MOCVD- und MBE-Anwendungen passend ist, tritt mit uns bitte für mehr Produktinformation in Verbindung.

GaAs-Oblaten-Eigenschaft und Anwendung