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2 Zoll-bis 4 Zoll-GE-Wafer zur Mikroelektronik und zur Opto Elektronik-Industrie

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2 Zoll-bis 4 Zoll-GE-Wafer zur Mikroelektronik und zur Opto Elektronik-Industrie

2 Zoll-bis 4 Zoll-GE-Wafer zur Mikroelektronik und zur Opto Elektronik-Industrie
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Großes Bild :  2 Zoll-bis 4 Zoll-GE-Wafer zur Mikroelektronik und zur Opto Elektronik-Industrie

Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: ZG
Zertifizierung: CE
Modellnummer: Mitgliedstaat
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1-teilig
Preis: USD10/piece
Verpackung Informationen: Starke Holzkiste für globales Verschiffen
Lieferzeit: 3 Werktage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 Stücke pro Monat

2 Zoll-bis 4 Zoll-GE-Wafer zur Mikroelektronik und zur Opto Elektronik-Industrie

Beschreibung
Anwendung: Halbleiterbauelement, Mikroelektronik, Sensor, Solarzelle, IR-Optik. Durchmesser: Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"
Stärke: 500 um | 625 um Grad: Elektronikgrad
Hervorheben:

4 Zoll-GE-Wafer

,

2 Zoll-GE-Wafer

,

2-Zoll-Germaniumwafer

GE-Wafer zur Mikroelektronik- und Optoelektronikindustrie in der Durchmesserstrecke von 2 Zoll zu 4 Zoll

 

Wir sind ein weltweiter Lieferant einzelnen Kristallge-Wafers (Germaniumwafer) und einzelner Kristallge-Barren, haben wir einen starken Vorteil, wenn wir GE-Wafer zur Mikroelektronik- und Optoelektronikindustrie in der Durchmesserstrecke von 2 Zoll zu 4 Zoll zur Verfügung stellen. GE-Wafer liegt ein elementares und das populäre Halbleitermaterial, ein an seinen ausgezeichneten kristallographischen Eigenschaften und an den einzigartigen elektrischen Eigenschaften, GE-Wafer wird widly im Sensor, in der Solarzelle und in den Infrarotoptikanwendungen benutzt. Wir können niedrige Verschiebung und epi zur Verfügung stellen bereite GE-Wafers, um Ihren einzigartigen Germaniumbedarf zu erfüllen. GE-Wafer wird gemäß HALB produziert. Standard- und in der Standardkassette mit vakuumversiegeltem in der Reinraumumwelt, mit einem gute Qualitätskontrollsystem verpackt, werden wir der sauberen Lieferung und den GE-Waferprodukten der hohen Qualität eingeweiht. Wir können Elektronikgrad anbieten und IR-Grad GE-Wafer, treten mit uns bitte für mehr GE-Produktinformation in Verbindung

 

Einzelner Crystal Germanium Wafer Capability

SWI kann Elektronikgrad anbieten und IR-Grad GE-Oblate und GE-Barren, treten mit uns bitte für mehr GE-Produktinformation in Verbindung.
 

Leitfähigkeit Dopant Widerstandskraft
(Ohmcm)
Oblaten-Größe
Na Undoped >= 30 Bis 4 Zoll
N-Art Sb 0,001 | 30 Bis 4 Zoll
P-Art GA 0,001 | 30 Bis 4 Zoll

Anwendungen:

Halbleiterbauelement, Mikroelektronik, Sensor, Solarzelle, IR-Optik.

 

GE-Oblaten-Eigenschaften

 
Chemische Formel GE
Kristallstruktur Kubik
Gitterparameter a=0.565754
Dichte (g/cm3) 5,323
Wärmeleitfähigkeit 59,9
Schmelzpunkt (°C) 937,4

 

Produktbeschreibung

 
Wachstum Czochralski
Durchmesser Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"
Stärke 500 um | 625 um
Orientierung <100> / <111> / <110> oder andere
Leitfähigkeit P - Art/N - Art
Dopant Gallium/Antimon/Undoped
Widerstandskraft 0,001 | 30 Ohmcm
Oberfläche SSP/DSP
TTV <>
Bogen/Verzerrung <>
Grad Elektronikgrad

 

2 Zoll-bis 4 Zoll-GE-Wafer zur Mikroelektronik und zur Opto Elektronik-Industrie 0

Kontaktdaten
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Ansprechpartner: Daniel

Telefon: 18003718225

Faxen: 86-0371-6572-0196

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