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Produktdetails:
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| Anwendung: | Halbleiterbauelement, Mikroelektronik, Sensor, Solarzelle, IR-Optik. | Durchmesser: | Ø 2"/Ø 3"/Ø 4" |
|---|---|---|---|
| Stärke: | 500 um | 625 um | Grad: | Elektronikgrad |
| Hervorheben: | 4 Zoll-GE-Wafer,2 Zoll-GE-Wafer,2-Zoll-Germaniumwafer |
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GE-Wafer zur Mikroelektronik- und Optoelektronikindustrie in der Durchmesserstrecke von 2 Zoll zu 4 Zoll
Wir sind ein weltweiter Lieferant einzelnen Kristallge-Wafers (Germaniumwafer) und einzelner Kristallge-Barren, haben wir einen starken Vorteil, wenn wir GE-Wafer zur Mikroelektronik- und Optoelektronikindustrie in der Durchmesserstrecke von 2 Zoll zu 4 Zoll zur Verfügung stellen. GE-Wafer liegt ein elementares und das populäre Halbleitermaterial, ein an seinen ausgezeichneten kristallographischen Eigenschaften und an den einzigartigen elektrischen Eigenschaften, GE-Wafer wird widly im Sensor, in der Solarzelle und in den Infrarotoptikanwendungen benutzt. Wir können niedrige Verschiebung und epi zur Verfügung stellen bereite GE-Wafers, um Ihren einzigartigen Germaniumbedarf zu erfüllen. GE-Wafer wird gemäß HALB produziert. Standard- und in der Standardkassette mit vakuumversiegeltem in der Reinraumumwelt, mit einem gute Qualitätskontrollsystem verpackt, werden wir der sauberen Lieferung und den GE-Waferprodukten der hohen Qualität eingeweiht. Wir können Elektronikgrad anbieten und IR-Grad GE-Wafer, treten mit uns bitte für mehr GE-Produktinformation in Verbindung
Einzelner Crystal Germanium Wafer Capability
SWI kann Elektronikgrad anbieten und IR-Grad GE-Oblate und GE-Barren, treten mit uns bitte für mehr GE-Produktinformation in Verbindung.
| Leitfähigkeit | Dopant | Widerstandskraft (Ohmcm) |
Oblaten-Größe |
|---|---|---|---|
| Na | Undoped | >= 30 | Bis 4 Zoll |
| N-Art | Sb | 0,001 | 30 | Bis 4 Zoll |
| P-Art | GA | 0,001 | 30 | Bis 4 Zoll |
Anwendungen:
Halbleiterbauelement, Mikroelektronik, Sensor, Solarzelle, IR-Optik.
GE-Oblaten-Eigenschaften
| Chemische Formel | GE |
| Kristallstruktur | Kubik |
| Gitterparameter | a=0.565754 |
| Dichte (g/cm3) | 5,323 |
| Wärmeleitfähigkeit | 59,9 |
| Schmelzpunkt (°C) | 937,4 |
Produktbeschreibung
| Wachstum | Czochralski |
|---|---|
| Durchmesser | Ø 2"/Ø 3"/Ø 4" |
| Stärke | 500 um | 625 um |
| Orientierung | <100> / <111> / <110> oder andere |
| Leitfähigkeit | P - Art/N - Art |
| Dopant | Gallium/Antimon/Undoped |
| Widerstandskraft | 0,001 | 30 Ohmcm |
| Oberfläche | SSP/DSP |
| TTV | <> |
| Bogen/Verzerrung | <> |
| Grad | Elektronikgrad |
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Ansprechpartner: Daniel
Telefon: 18003718225
Faxen: 86-0371-6572-0196