Produktdetails:
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Anwendung: | Halbleiterbauelement, Mikroelektronik, Sensor, Solarzelle, IR-Optik. | Durchmesser: | Ø 2"/Ø 3"/Ø 4" |
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Stärke: | 500 um | 625 um | Grad: | Elektronikgrad |
Hervorheben: | 4 Zoll-GE-Wafer,2 Zoll-GE-Wafer,2-Zoll-Germaniumwafer |
GE-Wafer zur Mikroelektronik- und Optoelektronikindustrie in der Durchmesserstrecke von 2 Zoll zu 4 Zoll
Wir sind ein weltweiter Lieferant einzelnen Kristallge-Wafers (Germaniumwafer) und einzelner Kristallge-Barren, haben wir einen starken Vorteil, wenn wir GE-Wafer zur Mikroelektronik- und Optoelektronikindustrie in der Durchmesserstrecke von 2 Zoll zu 4 Zoll zur Verfügung stellen. GE-Wafer liegt ein elementares und das populäre Halbleitermaterial, ein an seinen ausgezeichneten kristallographischen Eigenschaften und an den einzigartigen elektrischen Eigenschaften, GE-Wafer wird widly im Sensor, in der Solarzelle und in den Infrarotoptikanwendungen benutzt. Wir können niedrige Verschiebung und epi zur Verfügung stellen bereite GE-Wafers, um Ihren einzigartigen Germaniumbedarf zu erfüllen. GE-Wafer wird gemäß HALB produziert. Standard- und in der Standardkassette mit vakuumversiegeltem in der Reinraumumwelt, mit einem gute Qualitätskontrollsystem verpackt, werden wir der sauberen Lieferung und den GE-Waferprodukten der hohen Qualität eingeweiht. Wir können Elektronikgrad anbieten und IR-Grad GE-Wafer, treten mit uns bitte für mehr GE-Produktinformation in Verbindung
Einzelner Crystal Germanium Wafer Capability
SWI kann Elektronikgrad anbieten und IR-Grad GE-Oblate und GE-Barren, treten mit uns bitte für mehr GE-Produktinformation in Verbindung.
Leitfähigkeit | Dopant | Widerstandskraft (Ohmcm) |
Oblaten-Größe |
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Na | Undoped | >= 30 | Bis 4 Zoll |
N-Art | Sb | 0,001 | 30 | Bis 4 Zoll |
P-Art | GA | 0,001 | 30 | Bis 4 Zoll |
Anwendungen:
Halbleiterbauelement, Mikroelektronik, Sensor, Solarzelle, IR-Optik.
GE-Oblaten-Eigenschaften
Chemische Formel | GE |
Kristallstruktur | Kubik |
Gitterparameter | a=0.565754 |
Dichte (g/cm3) | 5,323 |
Wärmeleitfähigkeit | 59,9 |
Schmelzpunkt (°C) | 937,4 |
Produktbeschreibung
Wachstum | Czochralski |
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Durchmesser | Ø 2"/Ø 3"/Ø 4" |
Stärke | 500 um | 625 um |
Orientierung | <100> / <111> / <110> oder andere |
Leitfähigkeit | P - Art/N - Art |
Dopant | Gallium/Antimon/Undoped |
Widerstandskraft | 0,001 | 30 Ohmcm |
Oberfläche | SSP/DSP |
TTV | <> |
Bogen/Verzerrung | <> |
Grad | Elektronikgrad |
Ansprechpartner: Daniel
Telefon: 18003718225
Faxen: 86-0371-6572-0196