Das Ätzverfahren ICP (induktiv verband Plasma), in der LED-Chipherstellung wird induktiv verbundene Plasmaätzung genannt

Behälter des Silikonkarbids ICP wird durch Prozess isostatic Drückens und Sinterns an der hohen Temperatur gebildet. Der Außendurchmesser, die Stärke, die Zahl und die Größe von acupoints, von Position und von Form der Tablettennut können entsprechend den Anforderungen der Konstruktionszeichnungen des Benutzers fertig auch sein, die spezifischen Bedingungen des Benutzers zu erfüllen.