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Optoelektronische Vorrichtung SiC-Wafer für Lichtdioden

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Optoelektronische Vorrichtung SiC-Wafer für Lichtdioden

Optoelektronische Vorrichtung SiC-Wafer für Lichtdioden
Optoelektronische Vorrichtung SiC-Wafer für Lichtdioden

Großes Bild :  Optoelektronische Vorrichtung SiC-Wafer für Lichtdioden

Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: ZG
Zertifizierung: CE
Modellnummer: Mitgliedstaat
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1-teilig
Preis: USD10/piece
Verpackung Informationen: Starke Holzkiste für globales Verschiffen
Lieferzeit: 3 Werktage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 Stücke pro Monat

Optoelektronische Vorrichtung SiC-Wafer für Lichtdioden

Beschreibung
Anwendung: Gerät der hohen Leistung Optoelektronisches Gerät GaN-Epitaxiegerät Lichtemittierende Diode Durchmesser: Ø 1"/Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"/Ø 6"
Stärke: 330 um | 350 um Grad: Produktionsgrad/Forschungsgrad
Hervorheben:

Optoelektronische Vorrichtung SiC-Wafer

,

SiC-Wafer für Lichtdioden

 

 

SIC-Oblate

 

Halbleiterwafer, Inc. (SWI) stellt Oblate des einzelnen Kristalles der hohen Qualität sic (Silikon-Karbid) zur elektronischen und optoelektronischen Industrie zur Verfügung. Sic ist Oblate ein Halbleitermaterial der nächsten Generation, mit einzigartigen elektrischen Eigenschaften und die ausgezeichneten thermischen Eigenschaften, verglichen mit Siliziumscheibe und GaAs-Oblate, sic Oblate ist für Gerätanwendung der hohen Temperatur und der hohen Leistung passender. Sic kann Wafer im Durchmesser sic geliefert werden 2 Zoll, 4H und 6H, N-artiges, der Stickstoff, der lackiert werden, und die halb-isolierende verfügbare Art. Treten Sie mit uns bitte für mehr Produktinformation in Verbindung.

 

Sic Oblaten-Anwendung

 

Hochfrequenzgerät Gerät der hohen Temperatur
Gerät der hohen Leistung Optoelektronisches Gerät
GaN-Epitaxiegerät Lichtemittierende Diode

 

Sic Oblaten-Eigenschaften

 
Polytype 6H-SiC 4H-SiC
Stapelnde Kristallreihenfolge ABCABC ABCB
Gitterparameter a=3.073A, c=15.117A a=3.076A, c=10.053A
Bandlücke eV 3,02 eV 3,27
Dielektrizitätskonstante 9,66 9,6
Brechungs-Index n0 =2.707, Ne =2.755 n0 =2.719 Ne =2.777

Produktbeschreibung

 
Polytype 4H / 6H
Durchmesser Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"
Stärke 330 um | 350 um
Orientierung Auf Achse <0001> /weg von der Achse <0001> weg von 4°
Leitfähigkeit N - Art/Halb-Isolieren
Dopant N2 (Stickstoff)/V (Vanadium)
Widerstandskraft (4H-N) 0,015 | 0,03 Ohmcm
Widerstandskraft (6H-N) 0,02 | 0,1 Ohmcm
Widerstandskraft (SI) > 1E5 Ohmcm
Oberfläche CMP polierte
TTV <>
Bogen/Verzerrung <>
Grad Produktionsgrad/Forschungsgrad

 

Kontaktdaten
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Ansprechpartner: Daniel

Telefon: 18003718225

Faxen: 86-0371-6572-0196

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