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Produktdetails:
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Material: | Silikon-Nitrid Si3n4 | Größe: | besonders angefertigt |
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Farbe: | Schwarz | Eigenschaften: | hohe Härte; hohe Korrosionsbeständigkeit; niedrige Dichte; Stabilität in einer breiten Palette von T |
Hervorheben: | Nitrid-Keramik des Silikon-Si3N4,Nitrid-Keramik des Silikon-3.3g/cm3,Nitrid des Silikon-3.3g/cm3 Si3N4 |
Silikonnitride (Si3N4) kennzeichnen Sie eine ausgezeichnete Kombination von Materialeigenschaften. Sie sind fast so hell wie Silikonkarbid (sic), aber ihre Mikrostruktur gibt ihnen ausgezeichnete Temperaturwechselbeständigkeit und ihre hohe Bruchhärte macht sie beständig gegen Auswirkungen und Schocks.
Alle diese Kombinationen machen das Material unersetzlich in der Produktion von korrosionsbeständigen, haltbaren und hitzebeständigen Produkten für eine Vielzahl von Industrien.
Eigenschaften | Marke des Materials |
Zusammensetzung | SN |
Si3N4 | |
Dichte, g/sm3 | 3,2-3,3 |
Lokalisierte Porosität, % | 0 |
Härte, GPa | 13,5-14,0 |
Biegefestigkeit, MPa | 280-310 |
Druckfestigkeit, MPa | 3700-3900 |
Wärmeleitfähigkeit an 20-100°С, W/mK | 20-30 |
Koeffizient lineare thermische Expansion an 20-1000°С, 10-6 К-1 | 2,6-3,3 |
Normalbetriebshöchsttemperatur °С Oxydierende Umwelt Verringerung oder träge Umwelt |
1200 160 |
Silikon-Nitrid bezog sich Daten
Hauptkomponente | 99%Al2O3 | S-SIC | ZrO2 | Si3N4 | ||
Körperlich Eigentum |
Dichte | g/cm3 | 3,9 | 3,1 | 6 | 3,2 |
Wasseraufnahme | % | 0 | 0,1 | 0 | 0,1 | |
Sinter-Temperatur | °C | 1700 | 2200 | 1500 | 1800 | |
Mechanisch Eigentum |
Rockwell-Härte | Hochspg | 1700 | 2200 | 1300 | 1400 |
Biegungs-Stärke | kgf/mm2 | 3500 | 4000 | 9000 | 7000 | |
Kompressions-Intensität | Kgf/mm2 | 30000 | 20000 | 20000 | 23000 | |
Thermal Eigentum |
Maximale Funktion Temperatur |
°C | 1500 | 1600 | 1300 | 1400 |
thermische Expansion Koeffizient 0-1000°C |
/°C | 8.0*10-6 | 4.1*10-6 (0-500°C) | 9.5*10-6 | 2.0*10-6 (0-500°C) | |
5.2*10-6 (500-1000°C) | 4.0*10-6 (500-1000°C) | |||||
Temperaturwechselbeständigkeit | T (°C) | 200 | 250 | 300 | 400-500 | |
Wärmeleitfähigkeit | W/m.k (25°C | 31 | 100 | 3 | 25 | |
300°C) | 16 | 100 | 3 | 25 | ||
Elektrisch Eigentum |
Widerstehende Rate des Volumens | ◎.cm | ||||
20°C | >1012 | 106-108 | >1010 | >1011 | ||
100°C | 1012-1013 | – | – | >1011 | ||
300°C | >1012 | – | – | >1011 | ||
Isolierungs-Zusammenbruch Intensität |
KV/mm | 18 | Halbleiter | 9 | 17,7 | |
Dielektrizitätskonstante (1 MHZ) | (e) | 10 | – | 29 | 7 | |
Dielektrische Ableitung | (tg O) | 0.4*10-3 | – | – | – |
Ansprechpartner: Daniel
Telefon: 18003718225
Faxen: 86-0371-6572-0196